韓國兩大存儲芯片巨頭三星與SK海力士正加快內(nèi)存生產(chǎn)，以應(yīng)對來自AI的需求。
報道稱，三星電子近期不僅提升了韓國國內(nèi)DRAM和NAND閃存的產(chǎn)線利用率，更重點(diǎn)擴(kuò)大了高帶寬內(nèi)存（HBM）等高端產(chǎn)品的產(chǎn)出。
另外三星在11月決定平澤五廠恢復(fù)施工，預(yù)定2028年開始量產(chǎn)，以強(qiáng)化該公司的滿足先進(jìn)存儲芯片需求的能力。
至于SK海力士，其位于清州的M15X新廠正緊鑼密鼓準(zhǔn)備投產(chǎn)，該廠將聚焦于DRAM和其他AI導(dǎo)向的存儲產(chǎn)品。
業(yè)界高層表示，SK海力士正試圖趕在原定的2027年前，完成位于龍仁半導(dǎo)體園區(qū)內(nèi)的首座晶圓廠，該設(shè)施規(guī)模相當(dāng)于六座M15X晶圓廠。
由于AI相關(guān)需求預(yù)期在未來幾年持續(xù)激增，產(chǎn)能被視為競爭力的關(guān)鍵決定因素，根據(jù)Omdia的數(shù)據(jù)，全球DRAM市場規(guī)模預(yù)計在2026年前達(dá)到1700億美元，高于2024年的1000億美元。
